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國(guó)內(nèi)外硅及碳化硅單晶材料行業(yè)趨勢(shì)分析及規(guī)劃研究報(bào)告(2017-2022年)
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<1>報(bào)告編號(hào): BG420011
 
<2>出版日期: 2017年10月
 
<3>出版機(jī)構(gòu): 中智正業(yè)研究院
 
<4>交付方式: EMIL電子版或特快專遞
 
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內(nèi)容簡(jiǎn)介：
 

章 國(guó)內(nèi)外硅及碳化硅單晶材料研究與發(fā)展分析

節(jié) 半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程分析

一、代半導(dǎo)體材料

二、第二代半導(dǎo)體材料

三、第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料

四、半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì)

第二節(jié) 硅單晶材料基礎(chǔ)研究分析

一、硅單晶材料特性及應(yīng)用

二、硅單晶的主要技術(shù)參數(shù)

三、硅單晶制備工藝及加工條件

四、硅單晶缺陷研究

第三節(jié) 半導(dǎo)體碳化硅單晶材料發(fā)展及其研究

一、半導(dǎo)體碳化硅單晶材料發(fā)展史

二、半導(dǎo)體碳化硅單晶的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)

三、半導(dǎo)體碳化硅單晶的制備方法

四、碳化硅單晶的主要缺陷

五、碳化硅材料的應(yīng)用

第四節(jié) 半導(dǎo)體照明硅及碳化硅襯底LED技術(shù)路線

一、碳化硅(SiC)襯底LED技術(shù)路線

二、硅(Si)襯底LED技術(shù)路線

第二章 硅單晶超精密加工工藝研究及發(fā)展?fàn)顩r調(diào)研

節(jié) 材料表面超精密加工技術(shù)

一、超精密切削技術(shù)

二、超精密磨削技術(shù)

三、超精密拋光技術(shù)

四、金剛石在超精密加工中的應(yīng)用

第二節(jié) 硅單晶片超精密加工過(guò)程中的損傷及其檢測(cè)方法

一、硅單晶片表面損傷研究現(xiàn)狀

二、硅單晶片表面損傷檢測(cè)方法

三、硅單晶片磨削加工的研究現(xiàn)狀

第三節(jié) 硅單晶超精密磨削加工技術(shù)研究現(xiàn)狀

一、超精密磨削加工方法

二、磨削表面/亞表面損傷特性

三、納米壓痕/劃痕測(cè)試技術(shù)研究現(xiàn)狀

四、宏觀壓痕/劃痕的研究現(xiàn)狀

第四節(jié) 硅單晶切削加工工藝研究現(xiàn)狀及分析

一、塑性域切削機(jī)理

二、硅單晶切削加工仿真

三、硅單晶切削加工實(shí)驗(yàn)

四、國(guó)內(nèi)外硅單晶切削加工研究現(xiàn)狀分析

第五節(jié) 國(guó)內(nèi)外硅單晶拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀

第三章 直拉(CZ)硅單晶的制備研究及發(fā)展?fàn)顩r調(diào)研

節(jié) CZ硅單晶材料的制備設(shè)備及其晶體生長(zhǎng)的物理學(xué)基礎(chǔ)

一、直拉硅單晶爐結(jié)構(gòu)

二、晶體生長(zhǎng)熱力學(xué)及動(dòng)力學(xué)原理

三、晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的傳熱傳質(zhì)原理

四、生長(zhǎng)速率起伏和固液界面

五、界面穩(wěn)定性和組分過(guò)冷

第二節(jié) CZ硅單晶制備過(guò)程中傳熱傳質(zhì)現(xiàn)象及其研究進(jìn)展

一、CZ硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程中全局模擬的研究進(jìn)展

二、CZ硅單晶熔體中氧雜質(zhì)及微缺陷的研究進(jìn)展

三、CZ硅單晶中熔體流動(dòng)的磁場(chǎng)控制機(jī)理與應(yīng)用研究進(jìn)展

第三節(jié) CZ硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程的控制策略研究

一、PID控制

二、模型預(yù)測(cè)控制

三、分布參數(shù)模型控制

四、晶體品質(zhì)控制

第四節(jié) CZ硅單晶材料制備技術(shù)與發(fā)展路線

一、CZ硅單晶材料制備技術(shù)的發(fā)展歷史

二、CZ硅單晶材料降成本技術(shù)路線

三、CZ硅單晶材料降成本技術(shù)路線圖

四、CZ硅單晶材料提品質(zhì)技術(shù)路線

五、CZ硅單晶材料的高效化技術(shù)及薄片化技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

第四章 區(qū)熔(FZ)硅單晶的制備研究及發(fā)展?fàn)顩r調(diào)研

節(jié) FZ硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

一、FZ硅單晶生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)及難點(diǎn)分析

二、FZ硅單晶中的應(yīng)力分析

第二節(jié) FZ硅單晶的熱處理工藝研究

一、FZ硅單晶熱處理工藝關(guān)鍵技術(shù)及難點(diǎn)分析

二、NTD硅單晶熱處理工藝研究

第三節(jié) 懸浮區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅的摻雜技術(shù)

一、核心摻雜法

二、溶液涂敷摻雜法

三、填裝摻雜法

四、中子嬗變摻雜法(NTD)

五、氣相摻雜法

第四節(jié) 氣相摻雜區(qū)熔硅單晶的少了壽命研究

一、少子壽命的測(cè)試方法

二、少子壽命的測(cè)量與分析

三、種區(qū)熔硅單晶少子壽命測(cè)試對(duì)比

四、中了輻照對(duì)區(qū)熔單晶硅的少子壽命影響

五、氣相摻雜區(qū)熔單晶硅少子壽命測(cè)試分析

第五節(jié) FZ硅單晶材料發(fā)展現(xiàn)狀及預(yù)測(cè)

一、區(qū)熔硅單晶材料發(fā)展現(xiàn)狀

二、區(qū)熔硅單晶未來(lái)發(fā)展預(yù)測(cè)

第五章 碳化硅單晶精密加工技術(shù)研究及其設(shè)備發(fā)展?fàn)顩r調(diào)研

節(jié) 碳化硅單晶切割及研磨技術(shù)

一、切割工藝技術(shù)

二、切割晶體推進(jìn)方式的選擇

三、刀片轉(zhuǎn)速控制及切割速度對(duì)晶片幾何參數(shù)的影響

第二節(jié) 碳化硅單晶超精密磨粒加工現(xiàn)狀研究

一、研磨工藝技術(shù)

二、碳化硅單晶超精密研磨研究現(xiàn)狀

三、碳化硅單晶超精密磨削研究現(xiàn)狀

第三節(jié) 碳化硅單晶拋光技術(shù)研究

一、碳化硅單晶襯底超精密拋光加工工藝

二、國(guó)內(nèi)外機(jī)械拋光研究現(xiàn)狀

三、國(guó)內(nèi)外化學(xué)機(jī)械拋光研究現(xiàn)狀

四、國(guó)內(nèi)外碳化硅單晶的磁流變拋光研究現(xiàn)狀

第四節(jié) 拉曼光譜在碳化硅單晶中的應(yīng)用分析

一、碳化硅晶體中的拉曼散射

二、碳化硅拉曼散射實(shí)驗(yàn)儀器

三、碳化硅單晶一階拉曼光譜

第五節(jié) 碳化硅單晶線鋸切片微裂紋損傷深度的有限元研究

一、碳化硅單晶鋸切脆性開(kāi)裂模型與判據(jù)

二、碳化硅單晶線鋸切割有限元模型

三、切片微裂紋損傷深度測(cè)量研究

第六節(jié) 碳化硅晶體生長(zhǎng)及加工關(guān)鍵設(shè)備發(fā)展

一、碳化硅粉料合成設(shè)備

二、碳化硅單晶生長(zhǎng)爐

三、金剛石多線切割機(jī)

四、碳化硅研磨機(jī)

五、碳化硅拋光機(jī)

第六章 國(guó)內(nèi)外硅單晶產(chǎn)品研制單位調(diào)研分析(排名不分先后)

節(jié) 國(guó)外重點(diǎn)單位調(diào)研分析

一、日本信越Shin-Etsu集團(tuán)

二、日本Sumco公司

三、美國(guó)MEMC公司

四、德國(guó)Siltronic公司

五、丹麥TOPSIL公司

六、韓國(guó)LG Siltron公司

七、芬蘭Okmetic公司

第二節(jié) 國(guó)內(nèi)重點(diǎn)單位調(diào)研分析

一、北京有色金屬研究總院

二、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所

三、浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

四、山東大學(xué)

五、天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司

六、隆基綠能科技股份有限公司

七、卡姆丹克太陽(yáng)能集團(tuán)

八、錦州陽(yáng)光能源有限公司

九、晶龍集團(tuán)

第七章 國(guó)內(nèi)外碳化硅單晶產(chǎn)品研制單位調(diào)研分析(排名不分先后)

節(jié) 國(guó)外重點(diǎn)單位調(diào)研分析

一、美國(guó)科銳Cree公司

二、美國(guó)道康寧Dow Dcorning公司

三、美國(guó)二六II-VI公司

四、德國(guó)SiCrystal公司

五、瑞典Okmetic公司

六、日本新日鐵公司

七、日本Sixon公司

第二節(jié) 國(guó)內(nèi)重點(diǎn)單位調(diào)研分析

一、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

二、中科院上海硅酸鹽所

三、山東大學(xué)

四、西安理工大學(xué)

五、北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司

六、新鄉(xiāng)市神舟晶體科技發(fā)展有限公司

七、山東天岳晶體材料有限公司

八、臺(tái)州市一能科技有限公司

第八章 國(guó)內(nèi)外硅及碳化硅單晶材料研究與發(fā)展趨勢(shì)分析

節(jié) 硅及碳化硅單晶材料的發(fā)展趨勢(shì)分析

第二節(jié) 碳化硅單晶超精密拋光過(guò)程存在的主要問(wèn)題

第三節(jié) 我國(guó)碳化硅晶片加工技術(shù)及設(shè)備與國(guó)外差距

第四節(jié) 我國(guó)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀分析

第五節(jié) 我國(guó)碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景預(yù)測(cè)

第六節(jié) 國(guó)外第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展局勢(shì)及對(duì)我國(guó)的啟示