igbt在開通過程中,大部分時間是作為mosfet來運行的,只是在集射電壓vce下降過程后期,pnp晶體管由放大區(qū)至飽和區(qū),增加了一段延緩時間,使vce波形被分為兩段。igbt在關(guān)斷過程中,mosfet關(guān)斷后,pnp晶體管中的存儲電荷難以迅速消除,使集電極電流波形變?yōu)閮啥?,造成集電極電流較大的拖尾時間。
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顯然,開通關(guān)斷時間的延遲會增加開關(guān)損耗,并且,每開通關(guān)斷一次損耗就會累加,如果開關(guān)頻率很高,損耗就會很大,除了降低逆變器的效率以外,損耗造成的*直接的影響就是溫度升高,這不僅會加重igbt發(fā)生擎住效應的危險,而且,會延長集電極電流的下降時間和集射電壓的上升時間,引起關(guān)斷損耗的增加。顯然,這是一個惡性循環(huán),因此,為igbt提供良好的散熱條件是有效利用器件,減少損耗的主要措施。除了正確安裝散熱器外,安裝風扇以增強空氣流通,可以有效的提高散熱效率。
4.4 軟開關(guān)技術(shù)的應用
軟開關(guān)技術(shù)是在電路中增加了小電感、電容等諧振元件, 在開關(guān)過程前后引入諧振, 使開關(guān)條件得以改善, 從而抑制開關(guān)過程的電壓、電流過沖,提高開關(guān)可靠性。目前, 適用于dc/dc和dc/ac變換器的軟開關(guān)技術(shù)有如下幾種
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